山东浪潮华光光电子股份有限公司郑军获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种改善偏移的LED芯片切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111370826.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种改善偏移的LED芯片切割方法是由郑军;王爱杰;李琳琳;齐国健;闫宝华设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善偏移的LED芯片切割方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤如下：1涂胶；2光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；3显影；4刻蚀；5去胶；6贴膜；7切割。本发明改善了常规化LED芯片切割工艺，添加了标识切割道和偏移刻度标识，通过让刀片沿着标识切割道行径进行切割，并在标识切割道路径上设置偏移刻度标识进行可视化数据调整，相当于多了一把直尺进行实时的偏移测量，有效地改善了常规化LED芯片切割工艺中凭经验调整偏移的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。
本发明授权一种改善偏移的LED芯片切割方法在权利要求书中公布了：1.一种改善偏移的LED芯片切割方法，其特征在于，包括步骤如下： 1涂胶：将LED芯片P面表面涂覆光刻胶，在LED芯片P面上形成掩护膜； 2光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；所述标识切割道为从左至右贯穿整个LED芯片P面的直线；所述偏移刻度标识为位于LED芯片的边缘两侧，带有竖向刻度标识的垂直短线； 3显影：将光刻后的LED芯片进行烘烤，然后进行显影腐蚀； 4刻蚀：将显影后的LED芯片进行清洗、烘干，然后对没有被光刻胶覆盖的标识切割道进行干法刻蚀，刻蚀深度延伸到GaP层； 其中，偏移刻度标识的刻度线宽度为LED芯片尺寸宽度，偏移刻度标识的刻度以1-3μm为间隔； 5去胶：将刻蚀后的LED芯片进行化学腐蚀，去除LED芯片表面覆盖的光刻胶掩膜； 6贴膜：将去除光刻胶掩护膜的LED芯片P面朝下贴附在蓝膜上； 7切割：沿着步骤2形成的标识切割道对LED芯片进行切割，切割过程中根据步骤2形成的偏移刻度标识实时检测并调整刀片切痕的位置，完成LED芯片的切割。
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