重庆康佳光电技术研究院有限公司蔡明达获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电技术研究院有限公司申请的专利外延结构及制作方法、发光元件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111354637.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权外延结构及制作方法、发光元件及制作方法是由蔡明达;张杨;陈靖中设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延结构及制作方法、发光元件及制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种制程简单且成本较低的外延结构及制作方法，包括：在第一衬底上沉积N型材料层，对N型材料层进行刻蚀形成第一凸起；第一凸起的至少部分表面为曲面；在第一凸起上依次沉积形成第一有源层和第一P型层；去除第一衬底，对N型材料层背离第一凸起的一侧进行刻蚀，以形成与第一凸起对应的第二凸起；其中，第二凸起的至少部分表面为曲面；在第二凸起上依次沉积形成第二有源层和第二P型层；其中，第一凸起和第二凸起构成N型层，第一有源层和第二有源层构成有源层，第一P型层和第二P型层构成P型层。本申请还进一步提供采用前述外延结构制作发光元件的方法以及发光元件。
本发明授权外延结构及制作方法、发光元件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种外延结构的制作方法，其特征在于，包括： 在第一衬底上沉积N型材料层，对所述N型材料层进行刻蚀形成第一凸起；所述第一凸起的至少部分表面为曲面； 在所述第一凸起上依次沉积形成第一有源层和第一P型层； 去除所述第一衬底，对所述N型材料层背离所述第一凸起的一侧进行刻蚀，以形成与所述第一凸起对应的第二凸起；其中，所述第二凸起的至少部分表面为曲面； 在所述第二凸起上依次沉积形成第二有源层和第二P型层；其中，所述第一凸起和第二凸起构成N型层，所述第一有源层和第二有源层构成有源层，所述第一P型层和第二P型层构成P型层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆康佳光电技术研究院有限公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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