京东方科技集团股份有限公司袁广才获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管、显示面板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116034486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002323.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管、显示面板和显示装置是由袁广才;梁凌燕;曹鸿涛;刘凤娟;宁策;王飞;胡合合;张恒博设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管、显示面板和显示装置在说明书摘要公布了：一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置于所述衬底上的半导体层、栅极，以及源极和漏极；所述半导体层包括层叠的第一材料层和第二材料层；所述第一材料层的材料选自第一n型金属氧化物半导体材料中的一种或多种组合，所述第二材料层的材料选自第二n型金属氧化物半导体材料中的一种或多种组合；所述第一n型金属氧化物半导体材料的载流子迁移率大于或等于40cm22Vs，所述第二n型金属氧化物半导体材料中选自掺杂有Y，所述Y选自稀土元素中的一种或多种组合；其中，所述第一材料层相对于所述第二材料层更靠近所述栅极。
本发明授权薄膜晶体管、显示面板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，包括： 衬底； 设置于所述衬底上的半导体层、栅极，以及源极和漏极； 所述半导体层包括层叠的第一材料层和第二材料层；所述第一材料层的材料选自第一n型金属氧化物半导体材料中的一种或多种组合，所述第二材料层的材料选自第二n型金属氧化物半导体材料中的一种或多种组合； 所述第一n型金属氧化物半导体材料的载流子迁移率大于或等于40cm2Vs，所述第二n型金属氧化物半导体材料中掺杂有Y，所述Y选自稀土元素中的一种或多种组合； 其中，所述第一材料层相对于所述第二材料层更靠近所述栅极， 所述第二材料层的厚度大于10nm小于或等于15nm，所述第一材料层的厚度和所述第二材料层的厚度之比小于或等于1。
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