格芯(美国)集成电路科技有限公司尼可拉斯·A·帕罗莫夫获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有多层多深度光纤到片上光学部件连接的PIC管芯和封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116027575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211294465.3，技术领域涉及：G02F1/13；该发明授权具有多层多深度光纤到片上光学部件连接的PIC管芯和封装是由尼可拉斯·A·帕罗莫夫;T·霍顿;卞宇生设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多层多深度光纤到片上光学部件连接的PIC管芯和封装在说明书摘要公布了：本公开涉及具有多层多深度光纤到片上光学部件连接的PIC管芯和封装。提供了一种光子集成电路PIC管芯。该PIC包括：一组光学连接槽，其包括将位于其中的第一光纤的纤芯与管芯主体的多个层中第一竖直深度处的第一层中的第一光学部件对准的第一槽；以及将位于其中的第二光纤的纤芯与多个层中不同的第二竖直深度处的不同的第二层中的第二光学部件对准。槽还可以具有位于相对于PIC管芯的主体的边缘的不同横向深度处的端面。可以使用任何数量的第一和第二槽将光信号传送到PIC管芯的主体内不同竖直和或横向深度处的任何数量的层。
本发明授权具有多层多深度光纤到片上光学部件连接的PIC管芯和封装在权利要求书中公布了：1.一种光子集成电路PIC管芯，包括： 主体，其具有包括多个互连层的多个层；以及 一组光学连接槽，其限定在所述主体的边缘中，所述一组光学连接槽包括： 第一槽，其将位于其中的第一光纤的纤芯与所述多个层中第一竖直深度处的第一层中的第一光学部件对准；以及 第二槽，其将位于其中的第二光纤的纤芯与所述多个层中不同于所述第一竖直深度的第二竖直深度处的不同的第二层中的第二光学部件对准，其中，所述第二层是有源层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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