予力半导体公司P·奥克获国家专利权
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龙图腾网获悉予力半导体公司申请的专利可配置电容获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211291392.2，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权可配置电容是由P·奥克;T·A·菲利普斯;T·罗西格;黄毓慧;A·德米纳西亚斯设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本可配置电容在说明书摘要公布了：一种电容设备包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的电容，包括第一正端子和第二正端子以及第一负端子和第二负端子；在所述电容上形成的钝化层、所述第一和第二正端子以及所述第一和第二负端子，所述钝化层分别在所述第一和第二正端子上限定第一和第二开口，在所述第一负端子上限定第三开口，在所述第二负端子上限定第四开口；设置在所述钝化层上的第一金属凸块，包括延伸穿过所述第一开口和所述第二开口中的每个开口的第一延伸部分，其将所述第一正端子和所述第二正端子电耦合；设置在所述钝化层上的第二金属凸块，包括延伸穿过所述第三开口和所述第四开口中每个开口的第二延伸部分，其将所述第一负端子与所述第二负端子电耦合。
本发明授权可配置电容在权利要求书中公布了：1.一种电容设备，其特征在于，包括： 半导体衬底； 设置在所述半导体衬底上的电容，所述电容包括第一和第二正端子以及第一和第二负端子； 在所述电容上形成的钝化层、所述第一和第二正端子以及所述第一和第二负端子，所述钝化层在第一正端子上限定第一开口，在所述第二正端子上限定第二开口，在第一负端子上限定第三开口，在所述第二负端子上限定第四开口； 设置在所述钝化层上的第一金属凸块，包括延伸穿过所述第一开口和所述第二开口中每个开口的第一延伸部分，其将所述第一正端子电耦合至所述第二正端子；和 设置在所述钝化层上的第二金属凸块，包括延伸穿过所述第三开口和所述第四开口中每个开口的第二延伸部分，其将所述第一负端子电耦合至所述第二负端子。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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