重庆康佳光电技术研究院有限公司蒋光平获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电技术研究院有限公司申请的专利一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111171743.1，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法及系统是由蒋光平;林浩翔;蔡明达设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法及系统，包括基板，设于基板正面上的若干待转移的发光芯片，发光芯片的外表面上设有光电反应层，其受激光照射发生光电效应以产生一个抵消发光芯片自身重力的作用力；在将发光芯片从基板转移至电路板的过程中，通过激光束照射至发光芯片上的光电反应层，使其从基板上剥离后，其重力与作用力抵消悬浮于其对位的电路板上的固晶区上方，关闭激光束后，使得发光芯片在自身重力的作用下掉落至其对位的固晶区上；转移过程中可将发光芯片悬浮于电路板上的固晶区上方，在激光束关闭后直接转移到电路板，提高了转移效率，并且降低了转移成本。
本发明授权一种芯片转移组件及其制作方法、芯片转移方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片转移组件，其特征在于，包括： 基板； 设于所述基板正面上的若干待转移的发光芯片； 分别形成于各所述发光芯片的外表面上的光电反应层，所述光电反应层用于在将所述发光芯片从所述基板转移至电路板的过程中，受激光照射发生光电效应以产生一个抵消所述发光芯片自身重力的作用力； 所述光电反应层为石墨烯层； 所述发光芯片的顶面贴合所述基板的所述正面，所述发光芯片的底面为与所述顶面相对的一面，所述发光芯片的侧面为位于所述顶面和所述底面之间的一面；所述分别形成于各所述发光芯片的外表面上的光电反应层包括以下至少之一： 设置于所述发光芯片至少两个相对的侧面上的第一光电反应子层； 设置于所述发光芯片底面上的第二光电反应子层； 在所述发光芯片的电极设于所述底面上时，设于所述电极的外表面上的第三光电反应子层。
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