浙江大学皮孝东获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利具有荧光监测的非易失型光电神经突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939239B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211484902.8，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权具有荧光监测的非易失型光电神经突触器件及其制备方法是由皮孝东;王越;王坤;李东珂;杨德仁设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有荧光监测的非易失型光电神经突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有荧光监测的非易失性的光电神经突触器件，包括：栅电极、介电层、二维层状薄膜、源电极、漏电极和半导体硅量子点，其中：介电层位于栅电极上，二维层状薄膜位于介电层上，源电极、漏电极和半导体硅量子点薄膜均位于二维层状薄膜上，其中，半导体硅量子点薄膜将源电极和漏电极隔开；当外部光照射到半导体硅量子点薄膜时，从所述半导体硅量子点薄膜发出荧光监测信号，撤除外部光照射后，基于二维层状薄膜电导的变化实现所述光电神经突触器件突触权重变化的非易失性。该器件在光的刺激下能够较为容易的同时实现荧光效应和非易失性光电流。本发明还公开了该器件的制备方法。制备方法简单、高效。
本发明授权具有荧光监测的非易失型光电神经突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有荧光监测的非易失性的光电神经突触器件，其特征在于，包括：栅电极、介电层、二维层状薄膜、源电极、漏电极和半导体硅量子点，其中： 介电层位于栅电极上，二维层状薄膜位于介电层上，源电极、漏电极和半导体硅量子点薄膜均位于二维层状薄膜上，其中，半导体硅量子点薄膜将源电极和漏电极隔开； 当外部光照射到半导体硅量子点薄膜时，从所述半导体硅量子点薄膜发出荧光监测信号，撤除外部光照射后，基于二维层状薄膜电导的变化实现所述光电神经突触器件突触权重变化的非易失性； 所述二维层状薄膜的材料为二硫化钼。
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