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龙图腾网获悉群创光电股份有限公司申请的专利电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115909950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210641166.6，技术领域涉及：G09G3/32；该发明授权电子装置是由桥本和幸;渡边英俊设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子装置在说明书摘要公布了：本揭露提供一种电子装置。所述电子装置包括半导体元件以及像素电路。所述像素电路包括第一比较器、第二比较器以及减法单元。所述第一比较器产生第一比较信号。所述第二比较器产生第二比较信号。所述减法单元耦接到所述半导体元件且被配置成接收第一比较信号及第二比较信号，且产生减法信号。

本发明授权电子装置在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括： 至少一个半导体元件；以及 像素电路，耦接到所述至少一个半导体元件，包括： 第一比较器，被配置成产生第一比较信号； 第二比较器，被配置成产生第二比较信号；及 至少一个减法单元，耦接到所述至少一个半导体元件，且被配置成接收所述第一比较信号及所述第二比较信号，且产生减法信号， 其中所述至少一个减法单元中的一者包括： 第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管的第一端子被配置成接收所述第一比较信号，且所述第一薄膜晶体管的控制端子被配置成接收发射使能信号； 第二薄膜晶体管，其中所述第二薄膜晶体管的第一端子耦接到所述第一薄膜晶体管的第二端子，且所述第二薄膜晶体管的控制端子被配置成接收所述第二比较信号； 第三薄膜晶体管，其中所述第三薄膜晶体管的第一端子耦接到所述第二薄膜晶体管的第二端子，所述第三薄膜晶体管的第二端子耦接到低参考电压，且所述第三薄膜晶体管的控制端子被配置成接收所述第二比较信号； 第四薄膜晶体管，其中所述第四薄膜晶体管的第一端子耦接到所述第二薄膜晶体管的所述第二端子，所述第四薄膜晶体管的第二端子耦接到所述低参考电压，且所述第四薄膜晶体管的控制端子被配置成接收所述发射使能信号；以及 使能薄膜晶体管，其中所述使能薄膜晶体管的第一端子被配置成接收发射电流，所述使能薄膜晶体管的第二端子耦接到所述至少一个半导体元件，且所述使能薄膜晶体管的控制端子耦接到所述第二薄膜晶体管的所述第二端子且被配置成接收所述减法信号。

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