天狼芯半导体(成都)有限公司王威获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881721B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211412755.3，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备是由王威;黄汇钦设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管，高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管包括第一栅极、第一漏极、第一源极、第一栅极区域、栅极延伸区域和第一源极区域，栅极延伸区域朝向背离第一源极区域的方向延伸，第一栅极与第一栅极区域和栅极延伸区域相连，第一源极与第一源极区域相连；低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极；其中，第一栅极和第二源极连接，第一源极和第二漏极连接，半导体器件的源极为第二源极，半导体器件的栅极为第二栅极，半导体器件的漏极为第一漏极。
本发明授权半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管，所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管包括第一栅极、第一漏极、第一源极、第一栅极区域、栅极延伸区域和第一源极区域，所述栅极延伸区域朝向背离所述第一源极区域的方向延伸，所述第一栅极与所述第一栅极区域和所述栅极延伸区域相连，所述第一源极与所述第一源极区域相连； 低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极； 其中，所述栅极延伸区域将器件内大电流产生的高温引入所述第一源极区域，以防止温度过高导致所述半导体器件失效，所述第一栅极和所述第二源极连接，所述第一源极和所述第二漏极连接，半导体器件的源极为所述第二源极，所述半导体器件的栅极为所述第二栅极，所述半导体器件的漏极为所述第一漏极。
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