上海韦尔半导体股份有限公司王光华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863173B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211620355.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺是由王光华;衷世雄;董建新;钟添宾设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺，在沟槽栅MOSFET制造工艺中，在沟槽形成之后，通过多次离子注入同时在沟槽底部及沟槽之间外延层形成第一注入区和第二注入区，在随后沟槽侧壁形成栅氧化层过程中完成第一注入区和第二注入区中杂质的激活，所以本申请实施例减少了热制程，优化了工艺。
本发明授权一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅MOSFET的制备工艺，其特征在于，包括： 在外延层上刻蚀多个间隔设置的沟槽； 通过离子注入同时在多个沟槽底部形成第一注入区和在外延层上表面形成第二注入区； 在多个沟槽内壁及外延层上表面生长栅氧化层，同时激活第一注入区和第二注入区掺杂的杂质原子； 在所述多个沟槽中沉积多晶硅； 在所述第二注入区进行离子注入形成第三注入区； 在外延层上表面形成隔离保护层； 在多个沟槽中刻蚀第一接触孔，并在第二注入区中刻蚀第二接触孔； 在所述第一接触孔中填充金属引出栅极，在所述第二接触孔中填充金属引出源极； 在所述多个沟槽中沉积多晶硅之后包括： 对所述多晶硅进行回刻直到所述多晶硅上表面不高于所述外延层上表面； 所述通过离子注入同时在多个沟槽底部形成第一注入区和在外延层上表面形成第二注入区，包括： 依次进行第一次离子注入，第二次离子注入和第三次离子注入，在多个沟槽底部形成第一注入区和在外延层上表面形成第二注入区； 所述第一注入区和第二注入区注入的杂质相同，所述第一注入区和第二注入区与所述第三注入区注入的杂质不同。
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