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龙图腾网获悉珠海一微半导体股份有限公司申请的专利一种低功耗的基准电压源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115857606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111116306.X，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低功耗的基准电压源是由向耀明;赵伟兵;滕庆宇设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗的基准电压源在说明书摘要公布了：本发明公开一种低功耗的基准电压源，该低功耗的基准电压源包括：偏置补偿电路，包括N级PMOS管，用于为基准电压源提供偏置电流；基准电压输出电路，包括N级自共源共栅结构，用于产生并输出基准电压；其中，所述偏置补偿电路的N个输出端与所述基准电压输出电路的N个输入端对应连接；N为大于或等于2的整数。本发明采用全CMOS结构的基准电压源，只需要较低的电源电压和较小的偏置电流，同时，无需设置电阻器件，大幅减少占用芯片面积，提高芯片利用率，基准电压输出电路中采用同一类型的MOS晶体管，利用N级自共源共栅结构的堆叠，降低基准电压源功耗的同时实现输出基准电压可调节。

本发明授权一种低功耗的基准电压源在权利要求书中公布了：1.一种低功耗的基准电压源，其特征在于，所述基准电压源包括： 偏置补偿电路，包括N级PMOS管，用于为基准电压输出电路提供偏置电流； 基准电压输出电路，包括N级自共源共栅结构，用于产生并输出基准电压； 其中，所述偏置补偿电路的N级PMOS管与所述基准电压输出电路的N级自共源共栅结构一一对应连接；N为大于或等于2的整数； 其中，所述偏置补偿电路的N级PMOS管中每一级PMOS管的漏极作为所述偏置补偿电路的一个输出端与所述基准电压输出电路的对应一个输入端相连接； 其中，所述偏置补偿电路中每一级PMOS管的源极与同一级PMOS管的栅极相连接； 其中，每一级自共源共栅结构包括一个1号NMOS管和一个2号NMOS管；每一级自共源共栅结构的2号NMOS管的漏极作为所述基准电压输出电路的一个输入端与所述偏置补偿电路对应一个输出端连接； 其中，每一级自共源共栅结构中的1号NMOS管的栅极与2号NMOS管的栅极相连接；每一级自共源共栅结构中的1号NMOS管的漏极与2号NMOS管的源极相连接；每一级自共源共栅结构中的1号NMOS管的衬底与地线相连接； 其中，每一级自共源共栅结构中的2号NMOS管的栅极与同一级自共源共栅结构的2号NMOS管的漏极相连接； 其中，第N级自共源共栅结构的1号NMOS管的漏极与第N级自共源共栅结构的2号NMOS管的源极的连接点作为所述基准电压输出电路的输出端，用于输出基准电压； 其中，第k-1级自共源共栅结构的1号NMOS管的漏极和第k-1级自共源共栅结构的2号NMOS管的源极的连接点与第k级自共源共栅结构的1号NMOS管的源极相连接；其中，k为大于或等于2，且小于或等于N的整数； 其中，第1级自共源共栅结构的1号NMOS管的源极与地线相连接。

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