华为技术有限公司焦慧芳获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种位线读取电路及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115735250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080102340.9，技术领域涉及：G11C11/414；该发明授权一种位线读取电路及存储器是由焦慧芳;赫然;范鲁明设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种位线读取电路及存储器在说明书摘要公布了：一种位线读取电路及存储器，该位线读取电路，在从存储单元中读取电平时，两个灵敏放大器同步工作，在灵敏放大器对位线和参考线上的电压进行差分放大之后，读出控制模块就可以将位线的电平输出。在读出控制模块输出位线的电平时，由于两个灵敏放大器可以一起增强位线上的电压值，从而避免位线上的电压值快速改变。
本发明授权一种位线读取电路及存储器在权利要求书中公布了：1.一种位线读取电路，用于从存储单元中读取电平；其特征在于，所述位线读取电路包括： 位线，与所述存储单元相连； 参考线； 一对结构相同且同步工作的灵敏放大器，并行耦合于所述位线和所述参考线之间，用于对所述位线和所述参考线上的电压，进行差分放大； 读出控制模块，用于输出所述位线上的电平； 一个所述灵敏放大器包括：N沟道的第一晶体管、N沟道的第二晶体管、P沟道的第三晶体管和P沟道的第四晶体管；其中： 所述第一晶体管的第一极与所述位线连接，所述第一晶体管的第二极与第一参考电压源连接，所述第一晶体管的栅极与参考线连接； 所述第二晶体管的第一极与所述参考线连接，所述第二晶体管的第二极与所述第一参考电压源连接，所述第二晶体管的栅极与所述位线连接； 所述第三晶体管的第一极与所述位线连接，所述第三晶体管的第二极与第二参考电压源连接，所述第三晶体管的栅极与所述参考线连接； 所述第四晶体管的第一极与所述参考线连接，所述第四晶体管的第二极与所述第二参考电压源连接，所述第四晶体管的栅极与所述位线连接； 其中，一对所述灵敏放大器分别与所述位线和所述参考线直接连接，一对所述灵敏放大器分别共用同一所述第一参考电压源和所述第二参考电压源。
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