意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体股份有限公司P·G·卡佩莱蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体股份有限公司申请的专利电子管芯测试器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210914411.6，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权电子管芯测试器件和方法是由P·G·卡佩莱蒂;F·皮亚扎;A·雷达埃利设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子管芯测试器件和方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及电子管芯测试器件和方法。存储器单元包括具有半导体区和绝缘区的衬底。第一绝缘层在衬底上延伸。相变材料层位于第一绝缘层上。存储器单元还包括具有导电轨的互连网络。延伸穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触。延伸穿过第一绝缘层的第二导电通孔的第一端与相变材料层和导电轨两者接触，并且第二导电通孔的第二端仅与绝缘区接触。
本发明授权电子管芯测试器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元，包括： 衬底，包括半导体区和绝缘区； 第一绝缘层，在所述衬底上； 第一导电通孔和第二导电通孔，穿过所述第一绝缘层； 相变材料层，位于所述第一绝缘层上；以及 互连网络，包括导电轨； 其中所述第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触；以及 其中所述第二导电通孔的第一端与所述相变材料层和所述导电轨两者接触，并且其中所述第二导电通孔的第二端仅与所述绝缘区接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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