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龙图腾网获悉江南大学申请的专利阵列级动态比较器的全局失调校准方法及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115694491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211312838.5，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权阵列级动态比较器的全局失调校准方法及电路是由虞致国;许鑫;顾晓峰设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列级动态比较器的全局失调校准方法及电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列级动态比较器的全局失调校准方法及电路，属于集成电路技术领域。本发明通过全局共用一套高精度校准信号发生电路，比较器只需要增加校准逻辑电路和校准及存储电路，有效平衡了校准精度和面积开销的矛盾，获得高精度校准信号的同时极大的减小了平均到每个比较器的校准电路面积开销。采用同一校准信号源有利于阵列中比较器间的匹配，减小了由于传统独立校准电路带来的比较器间失配，提高了阵列级匹配性，提升了失调校准精度，可应用于阵列级动态比较器的全局校准。

本发明授权阵列级动态比较器的全局失调校准方法及电路在权利要求书中公布了：1.一种阵列级动态比较器的全局失调校准电路，其特征在于，所述全局失调校准电路包括：校准电压发生电路、校准逻辑电路和校准及存储电路； 所述校准电压发生电路，用于产生校准电压供给所有阵列校准电路使用； 所述校准逻辑电路，根据比较器的输出产生校准信号控制所述全局失调校准电路实施复位、开始校准、结束校准的操作； 所述校准及存储电路，用于在校准过程中通过改变校准参数抵消失调的影响，并对所述校准电压进行采样，将其存储在相应的储能元件或者储能模块中，并在结束校准时保持该校准电压，供后续比较器正常工作时消除失调的影响； 所述校准参数包括：电压、电流和延时参数； 所述校准电压发生电路，包括：Nbit计数器及Nbit数模转换器； 通过时钟信号触发所述计数器，实现每个时钟周期下所述计数器输出加一的操作；所述计数器输出作为所述数模转换器的输入信号，通过所述数模转换器输出阶梯式的电压信号，作为校准电压信号； 所述校准及存储电路包括：电流补偿及存储电路、延时可调及存储电路； 所述电流补偿及存储电路包括：辅助放电NMOS管、第一存储电容和第一选通开关；所述第一选通开关根据校准逻辑电路的控制信号将所述辅助放电NMOS管的栅极、所述第一存储电容的上极板接到低电平GND或者第一校准电压信号VOC1；所述辅助放电NMOS管根据栅极所加的第一校准电压信号VOC1改变通过的电流ID，抵消失调的影响；所述第一存储电容负责存储并保持校准电压； 所述延时可调电路及存储电路包括：PMOS管PM7、PM8，NMOS管NM9、NM10，第二存储电容CF和第二选通开关； 所述第二选通开关根据校准逻辑电路的控制信号将PMOS管PM7的栅极、第二存储电容CF的上极板接到低电平GND或者第二校准电压信号VOC2；PMOS管PM8、NM9组成反相器，NMOS管NM10的漏极与NMOS管NM9的源极相连，源极接GND；PMOS管PM7作为延时MOS管，源极接VDD，漏极与PMOS管PM8的源极相连，PMOS管PM7根据栅极所加的第二校准电压信号VOC2改变CLK_N与CLKD之间的上升沿延时；所述第二存储电容CF负责存储并保持校准电压。

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