中国科学院电工研究所伍岳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种磁场强度-平面梯度复合平面磁探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211349136.4，技术领域涉及：G01R33/02；该发明授权一种磁场强度-平面梯度复合平面磁探测器是由伍岳;肖立业;陈嘉民设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁场强度-平面梯度复合平面磁探测器在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁场强度‑平面梯度复合平面磁探测器，涉及一种磁探测器，包括超导层、磁电阻层及软磁层。所述的超导层由两个完全相同的闭合超导环路相连组成，两个闭合超导环路中心有相同尺寸的环孔，两个闭合超导环路及其相连的公共区域各包含一段电流压缩结构，磁电阻层位于超导层电流压缩结构上方，软磁层为三个矩形结构，其中两个矩形结构位于超导层上方，一个矩形结构位于超导层下方，且与上方的两个矩形结构在超导层的环孔位置交叠。本发明克服现有磁探测器存在的无法同时测量不同方向的磁场强度和磁场梯度的问题，提出一种新的磁场强度‑梯度复合磁探测器。
本发明授权一种磁场强度-平面梯度复合平面磁探测器在权利要求书中公布了：1.一种磁场强度-平面梯度复合平面磁探测器，其特征在于：所述的磁场强度-平面梯度复合平面磁探测器包括超导层1、磁电阻2及软磁层3；所述的超导层1由两个完全相同的闭合超导环路组成，两个闭合超导环路有一段相连的公共区域，每个闭合超导环路中心有相同尺寸的环孔；超导层1包含三段电流压缩结构，分别位于两个闭合超导环路及其相连的公共区域；磁电阻2共有三个，分别位于超导层1的三段电流压缩结构上方，软磁层3为三个矩形结构，其中两个矩形结构位于超导层1上方，一个矩形结构位于超导层1下方，且与上方的两个矩形结构在超导层1的环孔位置交叠。
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