国民大学校产学协力团都永洛获国家专利权
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龙图腾网获悉国民大学校产学协力团申请的专利Micro-Nano PIN LED元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031202.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权Micro-Nano PIN LED元件及其制造方法是由都永洛设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-Nano PIN LED元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微纳米pinLED元件制造方法，包括：准备依次层积有第一导电性半导体层、光活性层及第二导电性半导体层的LED晶片；在所述LED晶片的第二导电性半导体层上形成电极层或以电气极性相互不同的区域相邻的方式图案化的极化诱导层；以各个元件具有长度和宽度为纳米或微米大小的平面且以与所述平面垂直的厚度比所述长度小的方式将LED晶片沿着厚度方向蚀刻，形成多个微纳米pinLED柱；以及，使所述多个微纳米pinLED柱从所述LED晶片分离。本发明的微纳米pinLED元件，增加发光面积，并且在表面露出的光活性层的面积大幅度减少，从而能够防止因表面缺陷引起的效果下降或者将其最小化。
本发明授权Micro-Nano PIN LED元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-NanoFINLED元件制造方法，其特征在于，包括： 步骤1，准备依次层积有第一导电性半导体层、光活性层及第二导电性半导体层的LED晶片； 步骤2，在所述LED晶片的第二导电性半导体层上形成电极层或以电气极性相互不同的区域相邻的方式图案化的极化诱导层； 步骤3，以各个元件具有长度和宽度为纳米或微米大小的平面且以与所述平面垂直的厚度比所述长度小的方式将LED晶片沿着厚度方向蚀刻，形成多个Micro-NanoFINLED柱；以及 步骤4，使所述多个Micro-NanoFINLED柱从所述LED晶片分离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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