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龙图腾网获悉溧阳天目先导电池材料科技有限公司申请的专利具有原位生长洋葱碳层结构的硅碳负极材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110818760.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权具有原位生长洋葱碳层结构的硅碳负极材料及制备方法是由吉祥;罗飞设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有原位生长洋葱碳层结构的硅碳负极材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有原位生长洋葱碳层结构的硅碳负极材料及制备方法。硅碳负极材料包括内核和外壳；内核为硅基材料与碳材料的复合球体，复合球体的颗粒尺寸范围在1μm～50μm；其中，碳材料的原料为低残炭碳源，内核中具有低残炭碳源碳化后形成的孔隙；外壳为原位生长的洋葱碳层结构，洋葱碳层厚度为1nm～1000nm；硅碳负极材料的颗粒尺寸范围在1μm～100um。本发明内核中低残炭碳源碳化后形成的孔隙可以为硅基材料的膨胀提供缓冲空间，由完整洋葱碳层构成的外壳起到支撑作用，同时能够防止电解液与硅颗粒接触而形成大量SEI膜，且具有较小的比表面积和表面杂质，进一步减少了SEI膜的形成，极大提高了负极材料在循环过程中的稳定性。

本发明授权具有原位生长洋葱碳层结构的硅碳负极材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有原位生长洋葱碳层结构的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 将硅基材料与低残炭碳源按质量比1:0.1～1:10配比后，加入溶剂，搅拌至所述低残炭碳源溶解后进行超声处理，然后再进行喷雾造粒，得到平均粒径在1nm～30μm的喷雾颗粒； 将含有硼和或钙元素的化合物与高残炭聚合物进行混合球磨，得到平均粒径在1nm～500nm的球磨颗粒；所述含有硼和或钙元素的化合物包括氧化硼、氧化钙、氢氧化钙中的一种或多种； 将所述喷雾颗粒与所述球磨颗粒按质量比1:1～20:1混合均匀后，在保护气氛环境下以1℃min～10℃min升温至700℃～1200℃，保温1小时～15小时后，将产物进行打散过筛，得到平均粒径为1μm～100μm的复合材料颗粒； 将所述复合材料颗粒加入蒸馏水中进行搅拌，再经过滤、干燥，得到所述具有原位生长洋葱碳层结构的硅碳负极材料； 所述硅碳负极材料包括内核和外壳； 所述内核为硅基材料与碳材料的复合球体，所述复合球体的颗粒尺寸范围在1μm～50μm；其中，所述碳材料的原料为低残炭碳源，所述内核中具有所述低残炭碳源碳化后形成的孔隙； 所述外壳为原位生长的洋葱碳层结构，洋葱碳层厚度为1nm～1000nm； 所述硅碳负极材料的颗粒尺寸范围在1μm～100um。

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