深圳市华科创智技术有限公司林仪珊获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华科创智技术有限公司申请的专利一种高效环境友好型电磁屏蔽膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115623769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211303787.X，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种高效环境友好型电磁屏蔽膜及其制备方法是由林仪珊;曾西平;靳世东设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效环境友好型电磁屏蔽膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜包含基材，所述基材的一面依次设有纳米银线和纳米铜线复合层、胶层；另一面依次设有纳米镍线层、胶层；所述纳米银线和纳米铜线复合层中纳米银线和纳米铜线的质量比为1:1～1.5。本发明还提供了所述电磁屏蔽膜的制备方法。所述电磁屏蔽膜为三明治结构，其在基材两面分别设置纳米银线和纳米铜线复合层、纳米镍线层。所述纳米银线和纳米铜线复合层中含有合适比例的纳米银线和纳米铜线，其与纳米镍线层联合使用，可以使电磁波在界面产生多次反射损耗，增强材料对于电磁波的屏蔽效果。且所述电磁屏蔽膜的制备方法清洁高效，绿色无污染。
本发明授权一种高效环境友好型电磁屏蔽膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜包含基材，所述基材的一面依次设有纳米银线和纳米铜线复合层、胶层；另一面依次设有纳米镍线层、胶层；所述纳米银线和纳米铜线复合层中纳米银线和纳米铜线的质量比为1:1~1.5；所述纳米银线和纳米铜线复合层的干膜厚度为118~122nm；和或，所述纳米镍线层的干膜厚度为118~122nm。
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