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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司申请的专利显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115606000B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180000072.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示基板及其制备方法、显示装置是由陈腾;蒋发明;陈日;加新星;孟维欣;郭钟旭设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：提供了一种显示基板，包括：衬底基板30以及设置在衬底基板30上的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层、第二导电层和第三导电层。第一半导体层至少包括：移位寄存器单元的至少一个第二半导体型晶体管的有源层。第一导电层至少包括：移位寄存器单元的至少一个第二半导体型晶体管的控制极、至少一个电容的第一电极。第二半导体层至少包括：移位寄存器单元的至少一个第一半导体型晶体管的有源层。第二导电层至少包括：移位寄存器单元的至少一个第一半导体型晶体管的控制极、至少一个电容的第二电极。第三导电层至少包括：移位寄存器单元的至少一个第一半导体型晶体管和至少一个第二半导体型晶体管的第一极和第二极。

本发明授权显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，包括：显示区域和位于所述显示区域周边的外围区域，所述外围区域设置有栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器单元，所述移位寄存器单元包括至少一个第一半导体型晶体管、至少一个第二半导体型晶体管和至少一个电容； 在垂直于所述显示基板的方向上，所述显示基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层、第二导电层和第三导电层； 所述第一半导体层至少包括：所述移位寄存器单元的至少一个第二半导体型晶体管的有源层； 所述第一导电层至少包括：所述移位寄存器单元的至少一个第二半导体型晶体管的控制极、至少一个电容的第一电极； 所述第二半导体层至少包括：所述移位寄存器单元的至少一个第一半导体型晶体管的有源层； 所述第二导电层至少包括：所述移位寄存器单元的至少一个第一半导体型晶体管的控制极、至少一个电容的第二电极； 所述第三导电层至少包括：所述移位寄存器单元的至少一个第一半导体型晶体管和至少一个第二半导体型晶体管的第一极和第二极； 其中，所述第一导电层还包括：所述移位寄存器单元的第一输出端、第二输出端和第三输出端；所述第一输出端的输出信号和第二输出端的输出信号的相位相反，所述第二输出端和第三输出端提供极性相反的有效电平信号。

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