北京邮电大学刘凯获国家专利权
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龙图腾网获悉北京邮电大学申请的专利单行载流子光电二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211193879.7，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权单行载流子光电二极管是由刘凯;董晓雯;段晓峰;黄永清;王琦;任晓敏;蔡世伟设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本单行载流子光电二极管在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体光电器件技术领域，提供一种单行载流子光电二极管。包括依次连接的p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层；以及位于所述p型接触层上的p电极与位于所述n型接触层上的n电极；其中，所述收集层的厚度为1300纳米至1700纳米。本申请通过选取厚度为1300纳米至1700纳米的收集层，将p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层依次连接，并在p型接触层与n型接触层上分别设置p电极与n电极，构成单行载流子光电二极管，降低单行载流子光电二极管中的寄生电容，提高单行载流子光电二极管的总带宽，以提高单行载流子光电二极管的工作效率。
本发明授权单行载流子光电二极管在权利要求书中公布了：1.一种单行载流子光电二极管，其特征在于，包括依次连接的p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层；以及位于所述p型接触层上的p电极与位于所述n型接触层上的n电极； 其中，所述收集层的厚度为1500纳米至1700纳米； 所述收集层的材料包括掺杂浓度渐变的InP； 所述崖层的材料包括InP； 所述崖层中InP的掺杂浓度为5×1017cm-3； 所述单行载流子光电二极管的有源区直径为20μm； 所述收集层中InP的掺杂浓度由靠近所述崖层一侧的3×1015cm-3渐变为靠近所述n型接触层一侧的1×1015cm-3。
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