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龙图腾网获悉无锡华润华晶微电子有限公司申请的专利集成采样结构的垂直型半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110624444.2，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权集成采样结构的垂直型半导体结构及其制作方法是由贾鹏飞;芮强;李巍设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成采样结构的垂直型半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成采样结构的垂直型半导体结构及其制作方法，集成采样结构的垂直型半导体结构包括：垂直型半导体结构原胞、采样原胞、控制电极、第一电极、第二电极及采样电极。根据本发明的实施例，一则，采样电极可对第一电极与第二电极之间的电压差进行实时采样；采样原胞的第一二P型扩散区与第二N型基区之间都形成PN结，该PN结形成了阻挡采样电极端电子发射的势垒，因而，将采样电极的电压信号输入到保护电路，保护电路在同时判断垂直型半导体结构原胞处于打开状态时，可安全快速检测垂直型半导体结构是否处于退饱和状态。二则，在采样电极与第一电极之间串联采样电阻，采样电极正电压会增大该势垒高度，可保证采样原胞稳定工作。

本发明授权集成采样结构的垂直型半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，包括： 垂直型半导体结构原胞，包括：第一N型基区、伸入所述第一N型基区内的P型阱区、自所述P型阱区伸入所述第一N型基区的控制区、位于所述P型阱区上部的P型欧姆接触区与N型源区，所述N型源区位于所述P型欧姆接触区的两侧，以及位于所述第一N型基区下方的第一N型缓冲层； 采样原胞，包括：第二N型基区、伸入所述第二N型基区内的第一P型扩散区与第二P型扩散区，所述第一P型扩散区与所述第二P型扩散区之间形成电子通道、位于所述电子通道上部的N型欧姆接触区，以及位于第二N型基区下方的第二N型缓冲层，所述第一P型扩散区、所述第二P型扩散区的上表面与所述第二N型基区的上表面齐平； 控制电极，连接于所述垂直型半导体结构原胞的控制区； 第一电极，连接于所述垂直型半导体结构原胞的P型欧姆接触区与N型源区，以及所述采样原胞的第一P型扩散区与第二P型扩散区； 第二电极，连接于所述垂直型半导体结构原胞的第一N型缓冲层与所述采样原胞的第二N型缓冲层； 采样电极，连接于所述采样原胞的N型欧姆接触区； 采样电阻，连接于所述采样电极与所述第一电极之间； 所述第二N型基区内具有第一扩散阻挡区与第二扩散阻挡区，所述第一扩散阻挡区与所述第二扩散阻挡区分别邻接所述电子通道；所述第一P型扩散区位于所述第一扩散阻挡区远离所述电子通道的一侧，所述第二P型扩散区位于所述第二扩散阻挡区远离所述电子通道的一侧。

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