上海传芯半导体有限公司黄早红获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利单晶SiC/Si晶圆基底、异质结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110619695.1，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权单晶SiC/Si晶圆基底、异质结构及其制备方法是由黄早红;任新平设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶SiC/Si晶圆基底、异质结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单晶SiCSi晶圆基底、异质结构及其制备方法。所述单晶SiCSi晶圆基底包括：Si衬底，所述Si衬底上形成有图案化的多个单元区域，多个所述单元区域彼此由间隔区间隔开，并且每一单元区域包括形成于相应的单元区域上的单晶SiC层。所述异质结构包括前述的单晶SiCSi和GaN层。所述制备方法包括通过退火工艺使所述含碳材料层与凹槽中暴露出的所述Si衬底反应以选择性地生长单晶SiC层。相似地，通过MOCVD外延生长工艺使所述含氮气体和含镓的气相材料在图案化的单晶SiCSi晶圆基底上反应形成单晶GaN层。所得到的单元区域内的单晶SiC和GaN结构具有高质量和低缺陷密度。
本发明授权单晶SiC/Si晶圆基底、异质结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶SiCSi晶圆基底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括： 提供Si衬底； 在所述Si衬底上沉积SiO2层，并对所述SiO2层进行图案化以在所述SiO2层中形成多个凹槽，所述凹槽由围绕其四周的SiO2侧壁限定，且所述凹槽底部暴露所述Si衬底； 在所述凹槽中形成含碳材料层，所述含碳材料层包括通过旋转涂布的聚甲基丙烯酸甲酯或通过化学气相沉积而形成的碳层； 通过退火工艺使所述含碳材料层与所述凹槽中暴露出的所述Si衬底反应以选择性地在所述凹槽底部生长单晶SiC层，所述退火工艺包括炉内退火、快速热退火，或者基于激光的局部退火工艺；和 通过化学机械抛光工艺去除残留的含碳材料层，形成多个由SiO2侧壁分隔的SiC单元区域。
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