台湾积体电路制造股份有限公司林谷峰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体电路、记忆体装置以及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210646306.9，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权记忆体电路、记忆体装置以及其操作方法是由林谷峰;喻鹏飞;张盟昇设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体电路、记忆体装置以及其操作方法在说明书摘要公布了：在本案的一些态样中，揭示了一种记忆体电路、记忆体装置以及其操作方法。在一些态样中，记忆体电路包括：第一储存元件，此第一储存元件耦接到第一位元线；第一晶体管，此第一晶体管耦接在第一储存元件与中心节点之间；第二储存元件，此第二储存元件耦接到第二位元线；第二晶体管，此第二晶体管耦接在第二储存元件与中心节点之间；以及第三晶体管，此第三晶体管耦接在中心节点与参考节点之间。
本发明授权记忆体电路、记忆体装置以及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种记忆体电路，其特征在于，包含： 一第一储存元件，该第一储存元件耦接到一第一位元线； 一第一晶体管，该第一晶体管的一第一源漏极耦接该第一储存元件，该第一晶体管的一第二源漏极耦接一中心节点； 一第二储存元件，该第二储存元件耦接到一第二位元线； 一第二晶体管，该第二晶体管的一第一源漏极耦接该第二储存元件，该第二晶体管的一第二源漏极耦接该中心节点；以及 一第三晶体管，该第三晶体管耦接在该中心节点与一参考节点之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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