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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利FCBGA基板的半加成工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115361795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022518.6，技术领域涉及：H05K3/10；该发明授权FCBGA基板的半加成工艺方法是由于中尧;杨芳设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本FCBGA基板的半加成工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种FCBGA基板的半加成工艺方法，涉及封装基板制造技术领域。该方法包括：步骤S1，在封装基板的内层线路表面，依次压合ABF层和铜箔；步骤S2，将压合后的ABF层置于烘箱中烘烤，以完成预固化；步骤S3，对预固化的ABF层进行真空加温加压，使ABF层完全固化；步骤S4，去除铜箔，在完全固化的ABF层上制造外层线路；步骤S5，重复上述步骤S1～S4，形成多层线路封装基板。本发明可以解决大铜皮爆板的技术问题，保证基板的可靠性，减小工艺限制，提高设计自由度，降低工艺窗口，提高良率，以及降低基板翘曲。

本发明授权FCBGA基板的半加成工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，包括： 步骤S1，在封装基板的内层线路2表面，依次压合ABF层3和铜箔4； 步骤S2，将压合后的ABF层3置于烘箱中烘烤，以完成预固化； 步骤S3，对预固化的ABF层3进行真空加温加压，使所述ABF层3完全固化； 步骤S4，去除所述铜箔4，在完全固化的ABF层3上制造外层线路9包括： 步骤S41，对所述完全固化的ABF层3和铜箔4进行激光钻孔，使ABF层3和铜箔4中形成与所述内层线路2连通的盲孔5； 步骤S42，去除激光钻孔残留胶渣； 步骤S43，去除表面铜箔4； 步骤S44，在所述ABF层3和所述盲孔5中化学镀铜，形成电镀种子层6； 步骤S45，在所述电镀种子层6上光刻形成图形电镀掩膜7； 步骤S46，在所述电镀种子层6中未被所述图形电镀掩膜7覆盖的区域电镀形成电路图形8并填充所述盲孔5； 步骤S47，去除所述图形电镀掩膜7； 步骤S48，去除所述图形电镀掩膜7覆盖的所述电镀种子层6，形成所述外层线路9； 步骤S5，重复上述步骤S1~S4，形成多层线路封装基板。

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