日产化学株式会社荻野浩司获国家专利权
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龙图腾网获悉日产化学株式会社申请的专利半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115335971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180024052.0，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物是由荻野浩司;奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;新城彻也;泽田和宏设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括：使用含有包含碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物的溶剂且不含盐的剥离用组合物，将半导体基板上的粘接层剥离的工序，使用直链状烃化合物作为上述碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物。
本发明授权半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离用组合物将半导体基板上的粘接层剥离的工序，所述粘接层为使用包含粘接剂成分S的粘接剂组合物而得到的膜，所述粘接剂成分S包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分A， 所述剥离用组合物包含溶剂且不含盐， 所述溶剂由碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物组成。
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