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龙图腾网获悉北京清芯昇能半导体有限公司申请的专利制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210768951.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件是由武娴设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件，该方法包括：在第一衬底的一侧进行含H离子注入；在第一衬底以及第二衬底表面的至少之一处形成导电层；在所述导电层处进行键合以形成第一键合体；对所述第一键合体进行第一退火处理，使第一键合体剥离，以形成具有所述第二衬底的第二键合体；在所述第二键合体具有第一衬底一侧表面形成第一外延层；在所述第一外延层远离所述第一衬底的一侧形成栅极和第一电极；在所述第二键合体具有第二衬底一侧形成第二电极。该方法具有可较为简便地获取低电阻的电极端如集电极端或漏极端，器件加工工艺兼容性较佳，且第一衬底可被重复利用，生产成本较为低廉等优点的至少之一。

本发明授权制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制备具有垂直结构的半导体器件的方法，其特征在于，包括： 在第一衬底的一侧进行含H离子注入，所述第一衬底为非硅晶体材料形成的； 在所述第一衬底以及第二衬底表面的至少之一处形成导电层，所述第二衬底的电阻率不高于0.2Ω·cm； 将所述第一衬底和所述第二衬底在所述导电层处进行键合以形成第一键合体； 对所述第一键合体进行第一退火处理，使所述第一键合体在含H离子注入深度处剥离，以形成具有所述第二衬底的第二键合体； 对所述第二键合体具有第一衬底的一侧表面进行抛光处理； 在所述第二键合体具有第一衬底一侧表面形成第一外延层，所述第一外延层与所述第一衬底的晶格相匹配； 在所述第一外延层远离所述第一衬底的一侧形成栅极和第一电极； 在所述第二键合体具有第二衬底一侧形成第二电极； 进行所述含H离子注入之前，进一步包括在所述第一衬底表面外延形成第二外延层，所述含H离子注入是对所述第二外延层进行的，所述第二外延层作为所述半导体器件的离子注入层，所述剥离是在所述第二外延层中完成的； 所述第一衬底为SiC单晶材料，所述SiC单晶材料满足基平面位错密度不高于1500cm2； 外延生长得到的所述第二外延层具有比所述第一衬底更优的晶体质量； 所述第二外延层的半导体导电类型和所述第一外延层一致，所述第二外延层作为器件漂移区的一部分； 所述第二衬底为SiC材料，且所述第一衬底的SiC材料晶体质量优于所述第二衬底的SiC材料晶体质量。

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