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龙图腾网获悉华东计算技术研究所(中国电子科技集团公司第三十二研究所)申请的专利基于FPGA的Nandflash自主坏块管理方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115268765B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210666041.9，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权基于FPGA的Nandflash自主坏块管理方法和系统是由李斌设计研发完成，并于2022-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于FPGA的Nandflash自主坏块管理方法和系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于FPGA的Nandflash自主坏块管理方法和系统，包括：步骤1：在芯片出厂时，进行坏块出厂检索；步骤2：对坏块信息进行维护；步骤3：进行块地址映射；步骤4：对Nandflash接口进行互斥调度。本发明将坏块管理移到FPGA中来实现，既给CPU减负，使其能更好地完成其他系统级的任务，又充分利用了FPGA快速响应，并行处理的优点，高效可靠地完成Nandflash的存储回放功能。

本发明授权基于FPGA的Nandflash自主坏块管理方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种基于FPGA的Nandflash自主坏块管理方法，其特征在于，包括： 步骤1：在芯片出厂时，进行坏块出厂检索； 步骤2：对坏块信息进行维护； 步骤3：进行块地址映射； 步骤4：对Nandflash接口进行互斥调度； 所述步骤1包括： 在每个坏块的第一页进行标记，标记位置为Byte4096，标记值为0x00，正常值为0xFF； 在芯片初始化之后，擦除编程之前，对Nandflash的所有块进行遍历检索；再将检索到0x00对应的块索引号信息存入非坏块block0中； 所述步骤2包括： 步骤2.1：开辟一块BLOCKRAM空间用于缓存和更新坏块列表信息，将block0中的坏块索引号搬移到随机存取存储器RAM中，以便地址映射时使用； 步骤2.2：在固存操作的过程中，擦除或者页编程后进行状态读取，根据器件手册，读出状态字bit0为1时，表明该操作失败，认为有新增坏块，按照芯片出厂的方式对该块的第一页Byte4096写入0x00，作为坏块信息的标记，标记完成后重新遍历坏块，更新block0中的坏块信息； 所述步骤3包括：在BlockRAM中按地址从低到高存储坏块索引号的信息，且RAM初始化填充全1数据，在模块工作时，按地址从0开始读出数据，原块索引号与之比较，如果大于等于RAM的数据输出Dout，则将读地址加1，继续循环比较，直到小于Dout时停止循环，最终映射的索引号就是原块索引号加上RAM的读地址再加1； 所述步骤4包括： 步骤4.1：通过FPGA设置通道号轮询，接收访问请求； 步骤4.2：当前通道空闲时，响应访问请求，给出访问应答，此时该通道占用Nandflash使用权限； 步骤4.3：当Nandflash操作完成时，释放当前通道的使用权限。

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