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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利OPC图形修正方法、系统及掩模板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115220297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210995894.7，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC图形修正方法、系统及掩模板是由赵雪媚设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本OPC图形修正方法、系统及掩模板在说明书摘要公布了：本发明提供一种OPC图形修正方法、系统及掩模板，修正方法包括：提供待修正版图及版图窗口尺寸；于待修正版图上添加一层覆盖层；设定待修正版图的最大OPC修正量的近似值；对待修正版图边界与覆盖层边界的距离进行逻辑否运算；并对不同的结果做不同的OPC仿真运算；最终获得目标版图层。本发明通过筛选覆盖层与待修正版图重叠及小于等于最大OPC修正量近似值的边，并分别对筛选出的边及其它区域做不同的OPC仿真运算，完美解决了经传统OPC图形修正方法修正后OPC图形超出版图窗口边界的问题，避免光掩模部门提交OPC修正后版图至光掩模板制造厂时，发生报错，影响产品进度，效率低下，花费较多的时间及经济成本问题。

本发明授权OPC图形修正方法、系统及掩模板在权利要求书中公布了：1.一种OPC图形修正方法，其特征在于，所述OPC图形修正方法包括如下步骤： S1：提供待修正版图及版图窗口尺寸，所述待修正版图位于所述版图窗口内； S2：于所述待修正版图上添加一层覆盖层，使其完整覆盖整个所述版图窗口； S3：设定所述待修正版图的最大OPC修正量的近似值； S4：对所述待修正版图边界与所述覆盖层边界的距离进行逻辑否运算，判断两者边界距离是否在[0，最大OPC修正量的近似值]的范围内； S5：若是，则得到边界层，并对所述边界层不做任何OPC仿真运算；若否，则对所述待修正版图图形做标准OPC仿真运算，进行修正； S6：将所述OPC仿真运算后得到的版图图形与所述边界层合并，获得目标版图层，所述目标版图层包括最终OPC修正后的版图； 所述最大OPC修正量的近似值的估算方法为： 首先，利用收集的晶圆CD-SEM数据计算掩膜误差增强因子值，如公式1所示： 式中，MEEF为掩膜误差增强因子值，CDmask是掩模板上图形的尺寸，CDwafer是晶圆上的图形尺寸； 其次，利用公式2计算所述待修正版图的最大OPC修正量的近似值： 式中，MAXmovement为最大OPC修正量的近似值，input_bias为光刻工艺所导致的偏差，是通过光刻工艺锚点处的晶圆CD值和当前工艺节点设计规则的CD值的差值来确定。

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