中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210681924.7，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李永亮;赵飞;程晓红;张青竹;殷华湘;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于使得半导体器件包括的第一环栅晶体管和第二环栅晶体管均具有良好的导电性能。所述半导体器件包括：基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。沿着第一环栅晶体管包括的第一沟道的长度方向，第一沟道包括第一沟道区、以及位于第一沟道区两侧的第二沟道区。第一栅堆叠环绕在第一沟道区的外周。第一沟道具有的每层纳米片位于第二沟道区的部分大于位于第一沟道区的部分的厚度。第一沟道与第二环栅晶体管包括的第二沟道的材质不同。沿着基底的厚度方向，第二沟道具有的任一层纳米片所在行与第一沟道具有的相邻层纳米片所在行交替间隔设置。本发明提供的制造方法用于制造上述半导体器件。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，所述基底具有第一区域和第二区域； 第一环栅晶体管，形成在所述第一区域上；所述第一环栅晶体管包括第一沟道、第一栅堆叠和第一栅极侧墙；沿着所述第一沟道的长度方向，所述第一沟道包括第一沟道区、以及位于所述第一沟道区两侧的第二沟道区；所述第一栅堆叠环绕在所述第一沟道区的外周，且所述第一栅堆叠与所述第一沟道区直接接触；所述第一栅极侧墙横跨在所述第二沟道区上；所述第一沟道具有的每层纳米片位于所述第二沟道区的部分大于位于所述第一沟道区的部分的厚度；所述第一沟道的各部分一体连续； 以及第二环栅晶体管，形成在所述第二区域上；所述第一沟道与所述第二环栅晶体管包括的第二沟道的材质不同；沿着所述基底的厚度方向，所述第二沟道具有的任一层纳米片所在行与所述第一沟道具有的相邻层纳米片所在行交替间隔设置。
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