中微半导体设备(上海)股份有限公司史文博获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利聚焦环的检测装置、系统、方法及其等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115127457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110318806.5，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权聚焦环的检测装置、系统、方法及其等离子体处理装置是由史文博设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚焦环的检测装置、系统、方法及其等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种聚焦环的检测装置，包括：第一可调机构，放置于基座的承载面上方，可以沿垂直承载面的方向运动；反射结构，第一端与第一可调机构的上方连接，反射结构可绕其第一端旋转；且反射结构的反射平面与承载面成的锐角为第二角度；光源，设置于反射结构上方，用以向反射结构沿垂直承载面方向发射光线，光线可以被反射结构和聚焦环的内侧面反射；检测模块，设置于反射结构上方，用于接收经反射结构和聚焦环的内侧面反射后的反射光线。本发明在无需打开反应系统的前提下，利用光学探测的方法对聚焦环的高度及形状进行测量，通过远程连接控制反射结构的角度和高度变化，不破坏反应腔体的真空环境，操作简便，且方便快捷，提高了检测精度。
本发明授权聚焦环的检测装置、系统、方法及其等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种聚焦环的检测装置，该聚焦环围绕基座的承载面设置，且该聚焦环的内侧面与所述承载面成第一角度，所述第一角度为钝角，且该检测装置包括： 第一可调机构，放置于所述基座的承载面上方，能够沿垂直所述承载面的方向运动； 反射结构，其第一端与所述第一可调机构的上方连接，所述反射结构能够绕所述第一端旋转；且所述反射结构的反射平面与所述承载面成第二角度； 光源，设置于所述反射结构上方，用以向所述反射结构沿垂直所述承载面方向发射光线，所述光线能够被所述反射结构和所述聚焦环的内侧面反射； 检测模块，设置于所述反射结构上方，用于接收经反射结构和聚焦环的内侧面反射后的光线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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