北京大学深圳研究生院林信南获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利提高SiC MOSFET抗辐射能力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115085714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210669957.X，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权提高SiC MOSFET抗辐射能力的方法是由林信南设计研发完成，并于2022-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高SiC MOSFET抗辐射能力的方法在说明书摘要公布了：一种提高SiCMOSFET抗辐射能力的方法，包括确定SiCMOSFET的驱动信号的理论值，然后根据所述理论值确定SiCMOSFET的栅信号的工作幅值，也就是设置高电位值和低电位值，其中，所述低电位值设置为小于‑5V，根据所述栅信号的工作幅值确定SiCMOSFET的实际驱动信号连接在电路中，从器件的实际的高频应用着手，对器件的驱动信号进行调整和改良，使其在实现基本功能的前提下，增强抗总剂量辐射能力。通过这种施加正负栅压的方式，对辐射感生的载流子的输运进行调控，利用这种调控作用，使得氧化层界面处的缺陷难以俘获辐射产生的正电荷，调控了器件感生载流子产生复合比例，从而减小界面陷阱电荷的产生，达到减小阈值电压的退化，提高SiCMOSFET器件的抗辐照性能的效果。
本发明授权提高SiC MOSFET抗辐射能力的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高SiCMOSFET抗辐射能力的方法，其特征在于，包括： 确定SiCMOSFET的驱动信号的理论值，所述理论值为根据所述SiCMOSFET的规格书确定的所述SiCMOSFET的驱动电压值； 根据所述理论值确定SiCMOSFET的栅信号的工作幅值，确定所述栅信号的工作幅值包括确定高电位值和低电位值，其中，所述低电位值设置为小于-5V，确定所述栅信号的工作幅值包括确定高电位值和低电位值，包括：所述工作幅值的高电位值的绝对值和低电位值的绝对值的和为所述SiCMOSFET的驱动信号的理论值；其中，所述高电位值和所述低电位值为所述SiCMOSFET工作时施加的高电位值和低电位值； 根据所述栅信号的工作幅值确定SiCMOSFET的实际驱动信号连接在电路中。
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