买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110254790.6，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种半导体器件制造方法是由金建澔;慎寿范;周娜;李俊杰;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件制造方法，涉及半导体制造技术领域，用于解决铝金属配线刻蚀过程中出现的顶部侵蚀与底部桥接的问题。所述半导体器件制造方法包括：提供一基底，基底包括自下而上层叠设置的衬底、层间介质层、铝导电层以及抗反射层。在抗反射层上形成光刻胶图案；以光刻胶图案为掩模，对抗反射层进行图案化处理，其中，抗反射层刻蚀气体至少包括氯化硼与氯气；抗反射层刻蚀气体条件为氯化硼流量为150sccm‑300sccm，氯气流量为75sccm‑125sccm。以光刻胶图案为掩模，依次对铝导电层，以及部分层间介质层进行图案化处理。

本发明授权一种半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底包括自下而上层叠设置的衬底、层间介质层、铝导电层以及抗反射层； 在所述抗反射层上形成光刻胶图案； 以所述光刻胶图案为掩模，对所述抗反射层进行图案化处理，其中，所述抗反射层刻蚀气体至少包括氯化硼与氯气；所述抗反射层刻蚀气体条件为所述氯化硼流量为150sccm-300sccm，所述氯气流量为75sccm-125sccm； 以所述光刻胶图案为掩模，依次对所述铝导电层，以及部分所述层间介质层进行图案化处理； 所述以所述光刻胶图案为掩模，对所述铝导电层进行图案化处理，包括： 以所述光刻胶图案为掩模，对所述铝导电层进行图案化处理，其中，铝导电层刻蚀气体至少包括氯化硼与氯气，氯化硼流量为150sccm，氯气流量为200sccm； 所述以所述光刻胶图案为掩模，对部分所述层间介质层进行图案化处理，包括： 以所述光刻胶图案为掩模，对部分所述层间介质层进行图案化处理，其中，介质层刻蚀气体至少包括氯化硼与氯气；所述介质层刻蚀气体条件为所述氯化硼流量为150sccm-300sccm，所述氯气流量为75sccm-125sccm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。