长江存储科技有限责任公司宋豪杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利3D NAND存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180010962.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权3D NAND存储器及其形成方法是由宋豪杰;高倩;鲍琨;何欢;黄亚俊;马艳三设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D NAND存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种3DNAND存储器的形成方法，在沟道通孔中形成存储结构和位于所述存储结构上的多晶硅层，所述多晶硅层的表面低于所述介质层的顶部表面后，在所述多晶硅层表面形成第一金属硅化物层和位于第一金属硅化物层上的通孔接触金属层；将所述牺牲层替换为控制栅结构；在所述介质层中形成暴露出堆叠结构一侧的阱区部分表面的第一通孔以及暴露出相应的台阶结构表面的若干第二通孔；在所述第一通孔底部的阱区表面形成第二金属硅化物层；在所述第一通孔中形成第一接触插塞，在所述第二通孔中形成第二接触插塞。
本发明授权3D NAND存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种3DNAND存储器的形成方法，其中，包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的堆叠结构和覆盖所述半导体衬底和所述堆叠结构的介质层； 在所述介质层和堆叠结构中形成若干贯穿所述堆叠结构的沟道通孔； 在所述沟道通孔内形成沟道结构，并在所述沟道通孔内及所述沟道结构上依次形成多晶硅层、位于所述多晶硅层上的第一金属硅化物层和位于第一金属硅化物层上的通孔接触金属层； 在形成第一金属硅化物层之后，在所述介质层中形成暴露出所述半导体衬底的第一通孔； 在所述第一通孔底部形成第二金属硅化物层，在所述第一通孔中形成与第二金属硅化物层连接的第一接触插塞。
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