美光科技公司许丹获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于确定存取线的电阻特性的存储器阵列结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090291.1，技术领域涉及：G11C8/14；该发明授权用于确定存取线的电阻特性的存储器阵列结构及方法是由许丹;徐峻;E·E·于;P·泰萨里欧;T·O·伊瓦萨基设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于确定存取线的电阻特性的存储器阵列结构及方法在说明书摘要公布了：提供存取线的电阻特性的确定的存储器阵列结构可包含：存储器单元的第一块；存储器单元的第二块；第一电流路径，其在存储器单元的所述第一块的特定存取线与存储器单元的所述第二块的特定存取线之间；及任选第二电流路径，其在存储器单元的所述第二块的所述特定存取线与存储器单元的所述第一块的不同存取线之间。用于确定存取线的电阻特性的方法可包含将存储器单元的所述第一块的所述特定存取线连接到驱动器及响应于通过所述存取线的电流电平及所述存取线的电压电平而确定所述电阻特性。
本发明授权用于确定存取线的电阻特性的存储器阵列结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器阵列结构，其包括： 第一存储器单元块，其包含第一多个局部存取线，其中所述第一多个局部存取线中的每一局部存取线连接到所述第一存储器单元块的相应多个存储器单元的控制栅极； 第二存储器单元块，其包含第二多个局部存取线，其中所述第二多个局部存取线中的每一局部存取线连接到所述第二存储器单元块的相应多个存储器单元的控制栅极； 多个数据线，其中所述多个数据线中的每一数据线选择性连接到所述第一多个存取线中的每一存取线的所述第一存储器单元块的所述相应多个存储器单元中的存储器单元，且选择性连接到所述第二多个存取线中的每一存取线的所述第二存储器单元块的所述相应多个存储器单元中的存储器单元； 第一电流路径，其作为所述第一多个局部存取线中的特定局部存取线与所述第二多个局部存取线中的特定局部存取线之间的直接电连接；及 第二电流路径，其作为所述第一多个局部存取线中的所述特定局部存取线与所述第二多个局部存取线中的不同局部存取线之间的直接电连接。
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