中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司张铉瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利电容孔、电容器、DRAM及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110099817.9，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容孔、电容器、DRAM及其制备方法是由张铉瑀;许民;吴容哲;李俊杰;周娜;李琳;王佳设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容孔、电容器、DRAM及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容孔、电容器、DRAM及其制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成电接触部；在所述半导体衬底的表面自下而上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括模制层、中部支撑层以及与所述中部支撑层下方邻接的缓冲层；采用干法刻蚀工艺形成贯穿所述堆叠结构的电容孔，且暴露出所述电接触部，其中，所述缓冲层的干法刻蚀速率大于所述模制层的干法刻蚀速率；采用湿法腐蚀工艺去除所述模制层以及缓冲层。本发明在模制层和中部支撑层之间设置了缓冲层，且缓冲层的刻蚀速率大于模制层的刻蚀速率，这样在干法刻蚀的过程中，高刻蚀速率的缓冲层能够使得电容孔取得足够的空间。
本发明授权电容孔、电容器、DRAM及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电容孔的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成电接触部； 在所述半导体衬底的表面自下而上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括模制层、中部支撑层以及与所述中部支撑层下方邻接的缓冲层；所述模制层包括下部模制层以及上部模制层，其中，所述中部支撑层以及所述缓冲层位于所述下部模制层与上部模制层之间； 采用干法刻蚀工艺形成贯穿所述堆叠结构的电容孔，且暴露出所述电接触部，其中，所述缓冲层的干法刻蚀速率大于所述模制层的干法刻蚀速率； 采用湿法腐蚀工艺去除所述模制层以及缓冲层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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