南亚科技股份有限公司吴俊亨获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792687B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111282635.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法是由吴俊亨设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包含一栅极结构，设置在一半导体底上。该半导体元件亦具有一碳衬垫，覆盖该栅极结构的一上表面与各侧壁以及覆盖该半导体基底的一上表面。该半导体元件还具有一位元线接触点，设置在该半导体基底上。该位元线接触点延伸在该栅极结构上，以及该位元线接触点通过该碳衬垫而与该栅极结构电性分隔。
本发明授权栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一栅极结构，设置在一半导体基底上； 一碳衬垫，覆盖该栅极结构的一上表面与各侧壁以及覆盖该半导体基底的一上表面； 一位元线接触点，设置在该半导体基底上，其中该位元线接触点延伸在该栅极结构上，以及该位元线接触点通过该碳衬垫而与该栅极结构电性分隔；以及 一位元线，设置在该位元线接触点上，其中该位元线与该位元线接触点处的该碳衬垫分隔，并且该位元线接触点由低电阻率导电材料制成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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