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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利含有用于选择器元件的双蚀刻停止层的存储器设备及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114788029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080014.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权含有用于选择器元件的双蚀刻停止层的存储器设备及其制造方法是由J·里尔;K·帕特尔设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本含有用于选择器元件的双蚀刻停止层的存储器设备及其制造方法在说明书摘要公布了：可以在电极层和选择器材料层上方按顺序形成含难熔金属的蚀刻停止层、钌蚀刻停止层和导电材料层。可以采用一系列各向异性蚀刻工艺以：相对于钌蚀刻停止层具有选择性地蚀刻导电材料层，相对于含难熔金属的蚀刻停止层具有选择性地蚀刻钌蚀刻停止层，并在最小过度蚀刻范围内将含难熔金属的蚀刻停止层蚀刻到电极层中。随后可以在不暴露于蚀刻剂气体的等离子体的情况下对选择器材料层进行各向异性蚀刻，以蚀刻可能包括会损坏选择器材料的含氟等离子体的含难熔金属的蚀刻停止层和导电材料层。

本发明授权含有用于选择器元件的双蚀刻停止层的存储器设备及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种形成存储器设备的方法，所述方法包括： 在衬底上方形成层堆叠，所述层堆叠包括下部电极层、选择器材料层、上部电极层、含难熔金属的蚀刻停止层、钌蚀刻停止层、导电材料层和至少一个存储器材料层； 将所述至少一个存储器材料层图案化为存储器元件； 通过执行具有第一蚀刻化学反应的第一各向异性蚀刻工艺，使用所述钌蚀刻停止层作为蚀刻停止点将所述导电材料层图案化为导电柱，所述第一各向异性蚀刻工艺相对于钌具有选择性地蚀刻所述导电材料层； 通过执行具有第二蚀刻化学反应的第二各向异性蚀刻工艺，使用所述含难熔金属的蚀刻停止层作为蚀刻停止点将所述钌蚀刻停止层图案化为钌板，所述第二各向异性蚀刻工艺相对于所述含难熔金属的蚀刻停止层的材料具有选择性地蚀刻钌； 通过执行具有第三蚀刻化学反应的第三各向异性蚀刻工艺，将所述含难熔金属的蚀刻停止层图案化为含难熔金属的蚀刻停止板，所述第三各向异性蚀刻工艺相对于所述上部电极层的材料具有选择性地蚀刻所述含难熔金属的蚀刻停止层的材料而不蚀刻穿过所述上部电极层；以及 通过执行附加各向异性蚀刻工艺，各向异性地蚀刻所述上部电极层、所述选择器材料层和所述下部电极层；并且 其中通过各向异性地蚀刻所述选择器材料层形成双向阈值开关选择器元件；并且 其中所述含难熔金属的蚀刻停止层由钽、钨、铼、铌、钼、它们的金属间合金或它们的导电金属氮化物组成；并且 其中所述第三各向异性蚀刻工艺是基于定时的蚀刻工艺，所述基于定时的蚀刻工艺采用基于氟的等离子体，所述基于氟的等离子体被定时蚀刻穿过所述含难熔金属的蚀刻停止层而不一直蚀刻穿过所述上部电极层，使得双向阈值开关材料不暴露于所述基于氟的等离子体。

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