昭和电工材料株式会社田泽强获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉昭和电工材料株式会社申请的专利半导体装置的制造方法、以及切割晶粒接合一体型膜及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080078717.1，技术领域涉及：C09J201/00；该发明授权半导体装置的制造方法、以及切割晶粒接合一体型膜及其制造方法是由田泽强;木村尚弘;森修一设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法、以及切割晶粒接合一体型膜及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的一方面所涉及的切割晶粒接合一体型膜具备：基材层、胶黏剂层及压敏胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层配置于基材层与胶黏剂层之间且具有通过活性能量射线的照射而相对于胶黏剂层的胶接力预先下降的第一区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为6.0N25mm以上且12.5N25mm以下。
本发明授权半导体装置的制造方法、以及切割晶粒接合一体型膜及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其包括： A准备切割晶粒接合一体型膜的工序，依次层叠有基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层具有第一区域，所述第一区域通过活性能量射线的照射而相对于所述胶黏剂层的胶接力预先下降； B对晶圆进行隐形切割或者利用刀片进行半切割的工序； C在所述胶黏剂层中的与所述第一区域对应的区域贴附所述晶圆的工序； D通过在冷却条件下扩张所述基材层，获得将所述晶圆及所述胶黏剂层单片化而成的带有胶黏剂片的芯片的工序； E通过对所述压敏胶黏剂层照射活化能量射线，使所述压敏胶黏剂层相对于所述带有胶黏剂片的芯片的胶接力降低的工序； F在扩张所述基材层的状态下，从所述压敏胶黏剂层拾取所述带有胶黏剂片的芯片的工序；及 G将所述带有胶黏剂片的芯片安装于基板或其他芯片上的工序, 对A工序中的所述切割晶粒接合一体型膜，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm分钟的条件下所测定的所述第一区域相对于所述胶黏剂层的胶接力为6.0N25mm以上且12.5N25mm以下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人昭和电工材料株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励