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龙图腾网获悉广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210262046.5，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法是由陈祖军;李俊鹏;闫良;吕伟明;赵德胜;张宝顺设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法，包括：步骤1、对待刻蚀平片进行清洗后旋涂光刻胶；步骤2、采用lift‑off工艺制作对准标记mark，将步骤1所得样品进行曝光、显影后沉积TiAu薄膜，剥离光刻胶后得到后道光刻工艺对准标记mark；步骤3、将步骤2所得样品清洗后再次旋涂光刻胶，使用第一掩模版对准标记mark后进行倾斜曝光，显影后形成光刻胶侧壁倾斜面，再通过其他掩模版继续对准标记mark进行多次曝光，在显影后形成多方向光刻胶侧壁倾斜面；步骤4、对步骤3所得样品进行干法刻蚀，刻蚀至深度设定值；步骤5、将步骤4所得样品放入丙酮溶液中，去除剩余光刻胶，得到被刻蚀材料侧壁斜面角度。本发明主要用于半导体技术领域。

本发明授权一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法，其特征在于，包括： 步骤1、对待刻蚀平片进行清洗后旋涂光刻胶； 步骤2、采用lift-off工艺制作对准标记mark，将步骤1所得样品进行曝光、显影后沉积TiAu薄膜，剥离光刻胶后得到后道光刻工艺对准标记mark； 步骤3、将步骤2所得样品清洗后再次旋涂光刻胶，使用第一掩模版对准标记mark后进行倾斜曝光，显影后形成光刻胶侧壁倾斜面，再通过其他掩模版继续对准标记mark进行多次曝光，从而在显影后形成多方向光刻胶侧壁倾斜面；其中，所述倾斜曝光，是指一种光刻机辅助装置，通过调节反射镜偏转角度，将光刻机出射的与水平载物台呈直角的在外平行光束任意偏转，从而形成与光刻机水平载物台呈任意角度入射的平行紫外光束； 步骤4、对步骤3所得样品进行干法刻蚀，刻蚀至深度设定值；其中，刻蚀气源选择SF6气体，钝化气体为C4F8，源功率选择1500-2300W,偏置功率为20-50W,He漏2-3mtorrmin; 步骤5、将步骤4所得样品放入丙酮溶液中，去除剩余未刻蚀完的光刻胶，最终得到被刻蚀材料侧壁斜面角度； 在步骤1中，对待刻蚀平片进行清洗的方式采用丙酮-异丙醇-去离子水分别清洗，超声波功率选择30-50W，超声波清洗时间为5-15分钟，旋涂光刻胶前需对所述被刻蚀材料进行干燥或使用HMDS六甲基二硅胺蒸汽前处理，HDMS前处理设置温度为100-200℃；光刻胶选用AZ5214正性胶，涂胶转速第一阶段转速选择450-650rpm范围,时间5-7秒范围，第二阶段转速2000-4000rpm范围，时间25-35秒范围，光刻胶厚度1.6微米；前烘条件选择热板90-100℃范围，前烘时间55-65秒。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：528216 广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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