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龙图腾网获悉西安交通大学;美垦半导体技术有限公司申请的专利一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111528391.0，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块是由王来利;姚乙龙;杨奉涛;孔航;王振宇;张轶凡;汪岩;齐志远;张翅;苏宇泉设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块在说明书摘要公布了：一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块，包括驱动板、功率板、模块外壳和散热器；驱动板和功率板均设置在模块外壳内，且驱动板设置在功率板上，功率板和驱动板通过键合线连接；散热器设置在模块外壳底部；功率板包括两个氮化镓芯片和两个硅芯片，两个氮化镓芯片和两个硅芯片组成全桥电路；驱动板包括四个用于驱动功率板上四个芯片的驱动芯片；本发明基于氮化镓芯片设计单相全桥智能功率模块，氮化镓器件相比传统的硅器件拥有更高的开关速度，因而在开关过程中相比传统硅器件对寄生参数更加敏感。本模块设计出一种基于氮化镓功率芯片的全桥布局，并实现驱动芯片在模块内的集成。

本发明授权一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块，其特征在于，包括驱动板、功率板、模块外壳1和散热器2；驱动板和功率板均设置在模块外壳1内，且驱动板设置在功率板上，功率板和驱动板通过键合线连接；散热器2设置在模块外壳1底部； 功率板包括两个氮化镓芯片和两个硅芯片，两个氮化镓芯片和两个硅芯片组成全桥电路； 驱动板包括四个用于驱动功率板上四个芯片的驱动芯片，且四个驱动芯片位于功率板上芯片的侧面，且驱动芯片外围放置有解耦电容以及驱动电阻； 功率板的底板为陶瓷基板122，陶瓷基板122顶面烧结有第一铜层12、第二铜层15、第三铜层28、第四铜层31和第五铜层124，陶瓷基板122底面烧结整块铜，第一铜层12上设置第一芯片11，第二铜层15上设置第二芯片18，第三铜层28上设置第三芯片26，第四铜层31上设置第四芯片39，第五铜层124； 四个驱动芯片为第一驱动芯片117、第二驱动芯片84、第三驱动芯片61和第四驱动芯片47；第一驱动芯片117用于驱动第一芯片11，第二驱动芯片84用于驱动第四芯片39，第三驱动芯片61用于驱动第三芯片26，第四驱动芯片47用于驱动第二芯片18； 第一驱动芯片117外围设置两个电容和三个电阻组成第一驱动芯片117外围电路；第二自举二极管99、四个电容和一个电阻组成自举电路；第二驱动芯片84外围设置四个电容、三个电阻组成第二驱动芯片84外围电路；第三驱动芯片61外围设置两个电容组成第三驱动芯片61外围电路；第四驱动芯片47外围设置四个电容组成第四驱动芯片47外围电路；第一自举二极管65、四个电容和一个电阻66组成自举电路； 第三芯片26源极上表面和第二铜层15连接；第二芯片18源极上表面和第五铜层124连接；第一芯片11源极和第三铜层28连接；第一芯片11漏极和第一铜层12连接；第四芯片39源极和第一铜层12连接；第四芯片39漏极和第四铜层31连接； 第一驱动芯片117、第二驱动芯片84、第三驱动芯片61和第四驱动芯片47的管脚均连接在铜片上；第一驱动芯片117GND端口连接的铜面和第一芯片11源极开尔文连接，第一驱动芯片117VO+、VO-端口连接的铜面和第一芯片11栅极连接；第二驱动芯片84GND端口连接的铜面和第四芯片39源极开尔文连接，第二驱动芯片84VO+、VO-端口连接的铜面和第四芯片39栅极连接；第三驱动芯片61GND端口连接的铜面和第三芯片26源极开尔文连接，第三驱动芯片61VO+、VO-端口连接的铜面和第三芯片26栅极连接；第四驱动芯片47GND端口连接的铜面和第二芯片18源极开尔文连接，第四驱动芯片47VO+、VO-端口连接的铜面和第二芯片18栅极连接。

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