买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210203803.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备是由王迪;张中设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善栅线材料填充不实的问题。所述三维存储器包括层叠设置的多个介质层，多个沟道结构和多个接触结构，第一栅线隔离结构，中间隔离结构以及第二栅线隔离结构。中间隔离结构从阵列区延伸至过渡区，第一栅线隔离结构和第二栅线隔离结构从阵列区延伸至接触区。介质层包括第一子栅线、第二子栅线以及连接部。连接部在第一方向上超出中间隔离结构，且与第一子栅线和第二子栅线接触。第一子栅线在靠近接触区的一端的中部具有第一缺口，第二子栅线在靠近接触区的一端的中部具有第二缺口，在第二方向上，连接部未超出第一缺口和第二缺口相互靠近的边沿。

本发明授权三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，具有阵列区，过渡区以及接触区，所述过渡区设置在所述阵列区和所述接触区之间； 所述三维存储器包括： 层叠设置的多个介质层； 在所述多个介质层中延伸的多个沟道结构和多个接触结构，所述多个沟道结构设置在所述阵列区中，所述多个接触结构设置在所述接触区中； 贯穿所述多个介质层的第一栅线隔离结构，中间隔离结构以及第二栅线隔离结构，所述中间隔离结构位于所述第一栅线隔离结构和所述第二栅线隔离结构之间，所述中间隔离结构从所述阵列区延伸至所述过渡区，所述第一栅线隔离结构和所述第二栅线隔离结构从所述阵列区延伸至所述接触区； 其中，所述介质层包括第一子栅线，第二子栅线以及连接部，所述第一子栅线位于所述第一栅线隔离结构和所述中间隔离结构之间，所述第二子栅线位于所述第二栅线隔离结构和所述中间隔离结构之间，所述连接部在第一方向上超出所述中间隔离结构，且与所述第一子栅线和所述第二子栅线接触，所述第一子栅线在靠近所述接触区的一端的中部具有第一缺口，所述第二子栅线在靠近所述接触区的一端的中部具有第二缺口，在第二方向上，所述连接部未超出所述第一缺口和所述第二缺口相互靠近的边沿，所述第一方向为所述中间隔离结构的延伸方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。