长江存储科技有限责任公司范冬宇获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利使用激光退火制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004441.7，技术领域涉及：H10P34/42；该发明授权使用激光退火制造半导体器件的方法是由范冬宇;杨远程;张坤;刘磊;夏志良;霍宗亮设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用激光退火制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开内容的方面提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。在包括交替的第一层和第二层的堆叠体中形成沟道孔。堆叠体形成在半导体器件的衬底上方。在沟道孔中依次形成栅极电介质层和沟道层。使用激光对沟道层执行激光退火。激光在沟道层的上表面上的入射角导致在沟道层与栅极电介质层之间的界面以及沟道层与和沟道层相邻的绝缘层之间的界面处发生全内反射。
本发明授权使用激光退火制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： 在包括交替的第一层和第二层的堆叠体中形成沟道孔，所述堆叠体形成在所述半导体器件的衬底上方； 在所述沟道孔的内表面上方形成栅极电介质层； 在所述栅极电介质层的内表面上方形成沟道层，所述沟道层具有与所述衬底的表面平行的上表面； 使用激光对所述沟道层执行激光退火，其中， 所述激光在所述沟道层的所述上表面上的入射角导致在所述沟道层与所述栅极电介质层之间的界面以及所述沟道层与和所述沟道层相邻的绝缘层之间的界面处发生全内反射，所述入射角在所述激光与和所述沟道层的所述上表面垂直的轴线之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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