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龙图腾网获悉布鲁尔科技公司申请的专利用于EUV光刻的底层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556528B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080073359.5，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权用于EUV光刻的底层是由梁懿宸;A·M·查克;王玉宝;D·J·格雷罗设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于EUV光刻的底层在说明书摘要公布了：提供了用作EUV硅硬掩膜层的新型光刻组合物。本发明提供了制造微电子结构的方法以及使用EUV光刻工艺而由此形成的结构。该方法包括利用光刻胶层正下方的硅硬掩膜层。硅硬掩膜层可以直接施涂于基板，也可以施涂于任何可施涂于基板的中间层。优选的硅硬掩膜层由可旋涂的聚合组合物形成。本发明的方法提高了粘附并减少或消除了图案塌陷问题。

本发明授权用于EUV光刻的底层在权利要求书中公布了：1.一种结构的形成方法，所述方法包括： 提供基板，所述基板任选地包括其上的一个或多个中间层，在存在一个或多个中间层的情况下，在所述基板上存在最上中间层； 在不存在中间层的情况下，在所述基板上施涂组合物，或者在所述基板上存在一个或多个中间层的情况下，在所述最上中间层上施涂组合物，以形成硅硬掩膜层，所述组合物包含聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包含： 粘附促进单体，其具有选自以下一种或两种的结构： 和其中： 每个R独立地选自C1～C6烷基和氢， n为1～6， 每个X独立地选自环氧丙氧基、环氧、环氧环烷基、琥珀酸酐或乙酰胺部分；以及 一种或两种以下单体： 表面改性单体，其具有选自以下一种或两种的结构： 和其中： 每个R1独立地选自C1～C6烷基和C6～C20芳基， 每个R2独立地选自C1～C6烷基和氢， 每个R3独立地选自C1～C6烷基和氢， m为1～6， 每个Y独立地选自乙酰氧基、酯和芳基部分，或者 致密化单体，其具有选自以下一种、两种或三种的结构： 和其中每个R4独立地选自C1～C6烷基和氢； 任选地在所述硅硬掩膜层上形成六甲基二硅氮烷底漆层； 在所述硅硬掩膜层上存在六甲基二硅氮烷底漆层的情况下，在所述六甲基二硅氮烷底漆层上形成光刻胶层，或者在所述硅硬掩膜层上不存在六甲基二硅氮烷底漆层的情况下，在所述硅硬掩膜层上形成光刻胶层；以及 对所述光刻胶层的至少一部分进行EUV辐射。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人布鲁尔科技公司，其通讯地址为：美国密苏里州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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