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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512439B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111332602.3，技术领域涉及：H10W10/13；该发明授权半导体装置是由高桥彻雄;藤井秀纪;本田成人设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供半导体装置，其适于低成本化，不使RBSOA等的破坏耐量降低，能够降低FWD动作时的恢复损耗。具有：FWD区域，其形成于基板，在该基板的上表面侧具有p型阳极区域、p型杂质浓度比该p型阳极区域高的第一p型接触区域、第一沟槽；IGBT区域，其形成于该基板，在俯视观察时隔着边界区域将该FWD区域包围，在该基板的上表面侧具有n型发射极区域、第二p型接触区域、第二沟槽；以及外周区域，其在俯视观察时将该FWD区域、该边界区域和该IGBT区域包围，该第一沟槽在俯视观察时沿该FWD区域的外缘形成为环状，该第二沟槽在俯视观察时沿该边界区域的外缘形成为环状，在该边界区域的上表面侧仅具有p型区域。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： FWD区域，其形成于基板，在所述基板的上表面侧具有p型阳极区域、p型杂质浓度比所述p型阳极区域高的第一p型接触区域、第一沟槽； IGBT区域，其形成于所述基板，在俯视观察时隔着边界区域将所述FWD区域包围，在所述基板的上表面侧具有n型发射极区域、第二p型接触区域、第二沟槽； 外周区域，其在俯视观察时将所述FWD区域、所述边界区域和所述IGBT区域包围；以及 所述基板的上表面的发射极电极， 所述第一沟槽在俯视观察时沿所述FWD区域的外缘形成为环状， 所述第二沟槽在俯视观察时沿所述边界区域的外缘形成为环状， 在所述边界区域的上表面侧仅具有p型区域， 所述p型区域具有第一p型区域、p型杂质浓度比所述第一p型区域低的第二p型区域， 所述第一p型区域、所述第二p型区域与所述发射极电极接触， 在俯视观察时，在将所述FWD区域处的每个单位单元的所述第一p型接触区域的面积比率设为第一面积比率，将所述边界区域处的每个单位单元的所述第一p型区域的面积比率设为第二面积比率，将所述IGBT区域处的每个单位单元的所述第二p型接触区域的面积比率设为第三面积比率时，所述第一面积比率与所述第二面积比率之和小于所述第三面积比率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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