昭和电工株式会社石桥直人获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111324659.9，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法是由石桥直人;深田启介设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及SiC外延晶片及其制造方法。本发明的目的在于提供高浓度层的n型掺杂浓度的面内均匀性高的SiC外延晶片。本发明的SiC外延晶片具备SiC单晶基板和设在所述SiC单晶基板上的高浓度层，所述高浓度层的n型掺杂浓度的平均值为1×101818cm33以上且1×101919cm33以下，并且掺杂浓度的面内均匀性的值为30％以下。
本发明授权SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC外延晶片，具备SiC单晶基板和设在所述SiC单晶基板上的高浓度层， 所述高浓度层的n型掺杂浓度的平均值为1.2×1018cm3以上且9×1018cm以下，并且掺杂浓度的面内均匀性的值为30%以下， 所述面内均匀性的值是通过下述式子而得到的， 面内均匀性=掺杂浓度的最大值－掺杂浓度的最小值的绝对值掺杂浓度的平均值 所述掺杂浓度为N的掺杂浓度， 在获得所述面内均匀性时，以所述SiC外延晶片的中心为原点，在十字方向上、并且在所述中心和从所述中心向外周的线上的测定点测定所述掺杂浓度，使用在所述测定点获得的所述掺杂浓度算出所述掺杂浓度的平均值，所述测定点包括所述中心以及作为距所述中心最远的测定点的从所述SiC外延晶片边缘离开5mm的位置的测定点。
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