美光科技公司J·D·霍普金斯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111281656.1，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由J·D·霍普金斯;N·M·洛梅利设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请案的实施例涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种存储器阵列包括具有上部导体材料的导体层面，所述上部导体材料处于下部导体材料正上方并且与之直接电耦合。所述上部导体材料和下部导体材料包括相对彼此不同的组成。横向间隔开的存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面并且穿过所述上部导体材料到达所述下部导体材料中。所述沟道材料串的所述沟道材料直接电耦合到所述导体层面的所述上部导体材料和下部导体材料。居间材料横向处于横向紧邻的所述存储器块之间并且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块。公开包含方法的其它实施例。
本发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括： 形成包括上部导体材料的导体层面，所述上部导体材料处于下部导体材料正上方并且与之直接电耦合，所述上部导体材料和下部导体材料包括相对彼此不同的组成； 在所述导体层面上方形成包括竖直交替的第一层面和第二层面的堆叠，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层面的材料具有与所述第二层面的材料不同的组成； 形成延伸穿过所述第一层面和所述第二层面并且穿过所述上部导体材料到达所述下部导体材料中的沟道材料串；和 形成横向处于横向紧邻的所述存储器块区之间并且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块区的居间材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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