三星电子株式会社孙镛赫获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括布线接触插塞的半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111283513.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权包括布线接触插塞的半导体存储器装置是由孙镛赫;李俊雨;赵星东设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括布线接触插塞的半导体存储器装置在说明书摘要公布了：一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；多个电容器，其包括布置在单元区域中的多个下电极、覆盖多个下电极的多个电容器介电层和位于多个电容器介电层上的上电极；蚀刻停止层，其覆盖上电极；填充绝缘层，其覆盖蚀刻停止层，并且布置在单元区域和外围区域中；多条布线，其位于填充绝缘层上；以及第一布线接触插塞，其将多条布线中的至少一条电连接到上电极。上电极包括第一上电极层和第二上电极层，第一上电极层覆盖多个电容器介电层并且包括半导体材料，第二上电极层覆盖第一上电极层并且包括金属材料。
本发明授权包括布线接触插塞的半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括： 衬底，其包括单元区域和外围区域； 多个电容器，其包括位于所述单元区域上的多个下电极、覆盖所述多个下电极的多个电容器介电层和覆盖所述多个电容器介电层和所述多个下电极的上电极； 蚀刻停止层，其覆盖所述上电极； 填充绝缘层，其覆盖所述蚀刻停止层，所述填充绝缘层位于所述单元区域和所述外围区域上； 多条布线，其位于所述填充绝缘层上；以及 第一布线接触插塞，其将所述多条布线中的至少一条电连接到所述上电极， 其中，所述上电极包括第一上电极层和第二上电极层，所述第一上电极层覆盖所述多个电容器介电层并且包括半导体材料，所述第二上电极层覆盖所述第一上电极层并且包括金属材料， 其中，所述第一布线接触插塞通过所述填充绝缘层和所述蚀刻停止层延伸到所述第二上电极层内部，并且所述第一布线接触插塞的下表面位于比所述第一上电极层的上表面高的水平处。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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