美光科技公司李时雨获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111284481.X，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片是由李时雨;金炳鈗设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片在说明书摘要公布了：提供用于单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体CMOS晶片以用于形成竖直三维3D存储器的系统、方法和设备。一种用于形成用于存储器单元的形成的竖直堆叠层的阵列的实例方法包含：提供硅衬底；将单晶硅锗层形成到所述衬底的表面上；外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅锗层；将单晶硅层形成到所述硅锗的表面上；外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅层；以及在重复叠加中，形成硅锗层和硅层以形成交替的硅层和硅锗层的竖直堆叠。
本发明授权单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片在权利要求书中公布了：1.一种用于形成用于存储器单元的形成的竖直堆叠层的阵列的方法，其包括： 将单晶硅锗层430；530；630形成到硅衬底437；537的表面上； 外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅锗层； 将单晶硅层432；532；632形成到所述较厚的硅锗430；530；630的表面上； 外延地生长单晶硅以形成较厚的单晶硅层；以及 在重复叠加中，形成数个额外单晶硅锗层430；530；630和单晶硅层432；532；632以形成交替的单晶硅层和单晶硅锗层的竖直堆叠。
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