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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种存储器、存储器阵列以及存储器的数据读写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980099990.X，技术领域涉及：H10B53/00；该发明授权一种存储器、存储器阵列以及存储器的数据读写方法是由许俊豪设计研发完成，并于2019-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器、存储器阵列以及存储器的数据读写方法在说明书摘要公布了：一种存储器10、存储器阵列200以及存储器10的数据读写方法。其中，存储器10包括：第一半导体101、第一铁电薄膜102、第一写电极103、第一读电极104以及第二读电极105；第一半导体101相对的两端分别设置第一读电极104与第二读电极105；第一铁电薄膜102包裹第一半导体101的未被第一读电极104和第二读电极105连接的表面；第一铁电薄膜102的外表面与第一写电极103连接。通过第一写电极103向第一铁电薄膜102施加电压，以改变第一铁电薄膜102的极化状态。根据第一铁电薄膜102不同的极化状态调制第一半导体内电荷分布情况。使得第一半导体101在第一读电极104与第二读电极105施加相同读取电压时，产生不同的电流。

本发明授权一种存储器、存储器阵列以及存储器的数据读写方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列包括多个存储器，所述存储器包括：第一半导体、第一铁电薄膜、第一写电极、第一读电极以及第二读电极； 所述第一半导体为圆柱体，所述第一半导体相对的两端分别设置所述第一读电极与所述第二读电极，所述第一读电极与所述第二读电极用于向所述第一半导体施加读取电压； 所述第一铁电薄膜全包裹所述第一半导体的未被所述第一读电极和所述第二读电极连接的表面； 所述第一铁电薄膜的外表面与所述第一写电极连接； 所述存储器阵列至少包括第一存储器、第二存储器、第三存储器、第四存储器、第一电路、第二电路以及第三电路，其中，所述第一电路、所述第二电路与所述第三电路相互之间绝缘，所述存储器中包括第一读电极、第二读电极以及第一写电极； 所述第一存储器的所述第二读电极与所述第二存储器的所述第二读电极共同连接至所述第一电路； 所述第一存储器的所述第一写电极与所述第三存储器的所述第一写电极共同连接至所述第二电路； 所述第一存储器的所述第一读电极与所述第四存储器的所述第一读电极共同连接至所述第三电路； 所述第一电路、所述第二电路以及所述第三电路用于控制所述第一存储器读取数据或写入数据； 在选定存储器的第一读电极与非选定存储器的第一读电极连共同接至第一选定电路的情况下，所述非选定存储器的第二读取电极所连接的电路施加与所述第一选定电路相同的电压；或者， 在选定存储器的第二读电极与非选定存储器的第二读电极共同连接至第二选定电路的情况下，所述非选定存储器的第一读电极所连接的电路施加与所述第二选定电路相同的电压；或者， 在选定存储器的第一写电极与非选定存储器的第一写电极共同连接至第三选定电路的情况下，所述非选定存储器的第一读电极所连接的电路以及第二读电极所连接的电路分别施加与所述第三选定电路相同的电压； 其中，所述选定存储器为用于进行写入数据或读取数据的存储器，所述选定存储器为所述多个存储器中的任意一个。

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