湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种终端结构、制作方法以及功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210085312.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种终端结构、制作方法以及功率器件是由袁俊设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种终端结构、制作方法以及功率器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种终端结构、制作方法以及功率器件，包括：第一外延层；位于第一外延层一侧的掩埋层；贯穿掩埋层的第一掺杂区，第一掺杂区与掩埋层的掺杂类型相反；位于掩埋层背离第一外延层一侧的第二外延层，第二外延层内具有主结扩展区以及场限环；位于第二外延层背离所述掩埋层一侧的氧化层；其中，第二外延层和第一外延层均与掩埋层的掺杂类型相反；在第一方向上，场限环位于主结扩展区与第一掺杂区之间，第一方向垂直于第一外延层指向第二外延层的方向。本发明技术方案提供的终端结构、制作方法以及功率器件，提高了终端结构的耐压能力，进一步提高功率器件的可靠性和稳定性。
本发明授权一种终端结构、制作方法以及功率器件在权利要求书中公布了：1.一种终端结构，其特征在于，包括： 第一外延层； 位于所述第一外延层一侧的掩埋层； 贯穿所述掩埋层的第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述掩埋层的掺杂类型相反； 位于所述掩埋层背离所述第一外延层一侧的第二外延层，所述第二外延层内具有主结扩展区以及场限环； 位于所述第二外延层背离所述掩埋层一侧的氧化层； 其中，所述第二外延层和所述第一外延层均与所述掩埋层的掺杂类型相反；在第一方向上，所述场限环位于所述主结扩展区与所述第一掺杂区之间，所述第一方向垂直于所述第一外延层指向所述第二外延层的方向； 所述氧化层背离所述掩埋层的一侧表面具有第一凹槽，所述第一凹槽延伸至所述第二外延层内，所述第一凹槽用于作为所述第一掺杂区的离子注入窗口； 具有多个在所述第一方向上间隔排布的所述场限环。
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